[Samsung] Chip nhớ DDR II 50nm đạt chứng chỉ Intel

[TH307]

Samsung Electronics vừa công bố các chip nhớ sản xuất trên dây chuyền 50nm với mật độ 1Gbit của hãng đã được chứng nhận sẽ làm việc với các thế hệ chipset hiện tại cũng như tương lai của Intel ở tốc độ 800Mbps

Intel đã chứng nhận thế hệ chip DRAM 60nm của Samsung vào đầu tháng 3 năm nay. Samsung đã test kỹ và bắt đầu đưa vào sản xuất hàng loạt thế hệ chip 60nm trong 2007. Thế hệ chip 50nm sẽ được sản xuất hàng loạt vào nửa đầu năm sau, bao gồm cả DDR III, GDDR IV và V cũng như bộ nhớ DRAM cho laptop. Samsung cho biết các hãng khác vẫn đang dùng tiến trình 60, 70 hoặc 80nm

Nhu cầu sử dụng Windows Vista hy vọng sẽ tăng nhanh ở phân khúc cao cấp vào nửa sau 2007, kéo theo nhu cầu về dung lượng của các kit nhớ. Samsung hy vọng thị trường PC sẽ tăng từ 512Mb lên 1Gb và các nhà sản xuất sẽ chuyển sang DDR III vào cuối năm nay

Samsung bắt đầu phát triển thế hệ chip nhớ 50nm vào tháng 10.2006 và hãng cho biết chưa công ty nào phát triển tiến trình tương tự cho DDR II. Dây chuyền sản xuất chip 1Gb 50nm cho phép gấp đôi năng suất so với dây chuyền 80nm và gấp rưỡi so với dây chuyền 60nm, Samsung cho biết

Theo TG Daily (DigiTimes) (http://www.tgdaily.com/content/view/32986/118/)